集成电路互连延迟问题的研究及对策.pdf
文本预览下载声明
显示全部
文档详情
相似文档
-
甚超大规模集成电路互连延迟研究的开题报告.docx
甚超大规模集成电路互连延迟研究的开题报告
开题报告
题目：甚超大规模集成电路互连延迟研究
摘要：
随着现代电子技术的发展和互联网的普及，人们对芯片的性能和功耗的要求越来越高。在集成电路中，互连延迟是一个重要的研究方向。本文将针对甚超大规模集成电路中互连延迟的研究进行讨论，分析互连延迟的主要因素、模型和评估方法，为芯片设计和制造提供一定的参考。
研究内容：
1. 互连延迟的研究背景和意义
2. 甚超大规模集成电路互连延迟的主要因素分析
3. 互连延迟的建模方法研究
4. 互连延迟的评估方法研究
5. 互连延迟的仿真和验证研究
6. 甚超大规模集成电路互连延迟研究的展望
预期成果：
1. 对甚超大
-
集成电路互连技术课件.ppt
2.2 铝互连的不足（一）：Al/Si接触中的尖楔现象 Al Si Al/Si接触中的尖楔现象 * 2.3 Al/Si接触的改进 Al-Si合金金属化引线 在铝中加入硅饱和溶解度所需要的足量硅，形成Al-Si 合金，避免硅向铝中扩散，从而杜绝尖楔现象。 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构 掺杂多晶硅主要起隔离作用。 铝-阻挡层结构 在铝与硅之间淀积一薄层金属，阻止铝与硅之间的作用，从而限制Al尖楔问题。一般将这层金属称为阻挡层。 采用新的互连金属材料 解决Al/Si接触问题最有效的方法。 * 2.4 铝互连的不足（二）：电迁移现象 电迁移现象的本质是导体
-
集成电路工艺接触与互连.ppt
* ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ * ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ 硅烷易燃气体 CVD淀积氮化钛（CVD-TiN）：TiN普遍用作金属扩散的阻挡层，其淀积方式包括溅射和CVD，在深亚微米中，CVD淀积的TiN台阶覆盖比PVD法好。 NH3还原形成TiN的温度在400-700℃；N2/H2还原形成TiN的温度则高于700℃。淀积温度越高，得到的薄膜品质越好，TiN膜中的氯气残留也越少（约5%）。 7.3 金属化的实现 多层布线技术（Multilevel-Multilayer Metallization） 器件制备
-
基于TSV的三维集成电路互连技术论文.docx
基于TSV的三维集成电路互连技术论文
摘要：
随着集成电路技术的发展，三维集成电路（3DIC）因其更高的集成度、更低的功耗和更小的尺寸而成为未来集成电路发展的关键方向。三维集成电路互连技术是3DIC实现高效通信的关键技术之一。本文旨在探讨基于TSV（Through-SiliconVia）的三维集成电路互连技术，分析其优势、挑战及发展趋势。
关键词：三维集成电路；TSV互连技术；优势；挑战；发展趋势
一、引言
（一）三维集成电路互连技术的重要性
1.内容一：提高集成电路集成度
1.1TSV技术可以实现垂直方向的集成电路堆叠，从而在有限的芯片面积内集成更多的晶体管和功能单元，提高集成电路的集成度。
-
集成电路多层互连结构故障定位方法.pptx
集成电路多层互连结构故障定位方法;目录;01;集成电路多层互连结构是现代电子设备的核心组成部分，其可靠性对设备整体性能至关重要。;;研究内容;02;;;;03;;;;04;;建立故障模型的方法：基于物理模型、基于统计模型、基于机器学习模型等;;;;05;设计思路;;性能评估;06;;按照实验方案，逐步进行集成电路多层互连结构的故障定位实验。记录实验过程中的关键步骤和操作，以及出现的异常情况和处理方法。;;07;;;感谢您的观看
-
三维集成电路中的竖直互连结构.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114792676 A
(43)申请公布日 2022.07.26
(21)申请号 202210125260.6
(22)申请日 2022.02.10
(30)优先权数据
-
具有集成电路的垂直互连结构.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823641 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210109390.0
(22)申请日 2022.01.28
(30)优先权数据
-
《半导体集成电路》课件——互连性.pptx
主讲人：互连性
目录互连性的基本概念1互连性对电路性能的影响3互连的组成部分2互连设计的挑战与解决方案4
互连性的基本概念一
互连性是指在集成电路中，电路元件之间通过金属导体连接的能力。电源信号地线目的：顺畅传输，提高整体性能。
互连性的特点：低延迟低功耗高可靠性信号能够快速传输，减少延迟。在传输过程中尽量减少能量损失在各种工作条件下都能够稳定工作
互连的组成部分二
互连不仅仅是简单的连接线，它包含多个层面和组成部分用于传输电流和信号的金属导体，通常由铝或铜材料制成用于隔离不同导线之间的电气干扰，通常由二氧化硅或聚合物材料制成用于连接不同的电路板或组件，确保信号传输的完整性。集成电路中通常有多
-
三维集成电路中新型互连结构的建模方法与特性研究的开题报告.docx
三维集成电路中新型互连结构的建模方法与特性研究的开题报告
题目：三维集成电路中新型互连结构的建模方法与特性研究
一、研究背景及意义
随着集成电路技术的发展，三维集成电路在高速、低功耗、小尺寸、高可靠性等方面具备明显的优势，并引起了广泛关注。互连结构是三维集成电路中非常重要的组成部分，对于集成电路的性能和功耗具有很大影响。目前，三维集成电路的互连结构主要采用TSV（Through-SiliconVia）技术，但是在高速、低功耗等领域面临挑战。新型互连结构的研究成为当前三维集成电路研究领域的一个热点。
因此，本研究致力于研究三维集成电路中新型互连结构的建模方法和特性，并探索其在高速、低功耗、小尺寸
-
三维集成电路中TSV互连特性的研究的开题报告.docx
三维集成电路中TSV互连特性的研究的开题报告
一、选题背景及意义
随着半导体工艺的不断进步，三维封装技术逐渐成为集成电路领域的研究热点。三维封装技术将不同晶圆互连起来，能够提高芯片的性能、密度和功耗管理等方面的优势。而通过晶圆间的垂直堆叠，完整系统可单片化，使得封装体积和重量减小，实现数字和模拟混合集成。而在三维封装中，通过楼层间的垂直互连是实现楼层互联的必要方式，堆叠式互联技术（TSV）作为三维互连技术的关键环节，具有重要的研究价值。
本研究针对三维集成电路中TSV互连特性进行分析和研究，探究TSV对于芯片设计的总体影响，分析其电学特性以及电热特性，还将考虑物理特性以及工艺的影响，为后续设计
-
集成电路中的信号延迟优化方法论文.docx
集成电路中的信号延迟优化方法论文
摘要：随着集成电路技术的不断发展，信号延迟问题已成为制约集成电路性能提升的关键因素。本文针对集成电路中的信号延迟问题，从信号传输、电路结构、布局布线等方面，探讨了多种信号延迟优化方法，旨在为集成电路设计提供有益的参考。
关键词：集成电路；信号延迟；优化方法；传输；电路结构；布局布线
一、引言
（一）信号延迟问题的背景与意义
1.内容一：集成电路技术的发展背景
随着科技的飞速发展，集成电路技术已成为现代社会的重要支撑。然而，随着集成电路集成度的不断提高，信号延迟问题逐渐凸显，成为制约集成电路性能提升的关键因素。
（1）集成电路集成度不断提高，信号传输距离增加，
-
集成电路中的信号延迟优化论文.docx
集成电路中的信号延迟优化论文
摘要：
随着集成电路技术的快速发展，信号延迟问题成为影响电路性能和功耗的关键因素。本文针对集成电路中的信号延迟优化问题，从信号路径优化、传输线优化和电路结构优化三个方面进行了详细的研究。首先，通过分析信号路径优化策略，提出了基于关键路径算法的信号路径优化方法；其次，针对传输线优化，提出了基于传输线损耗模型的优化策略；最后，从电路结构优化角度，研究了基于层次化设计的电路结构优化方法。本文的研究成果对于提高集成电路性能、降低功耗具有重要意义。
关键词：集成电路；信号延迟；优化；传输线；电路结构
一、引言
1.内容一：信号延迟优化的重要性
（一）1.集成电路性能的影
-
计算集成电路的静态延迟时序的方法及设备.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114563682 A
(43)申请公布日 2022.05.31
(21)申请号 202011360073.3
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 上海寒武纪信息科技有限公司
地址
-
SOC集成电路研究的若干问题.PDF
SOC 集成电路研究的若干问题
王志华，清华大学微电子学研究所
摘要：本文介绍了集成电路设计领域中最重要的国际会议 ISSCC 。根据 ISSCC
技术委员会的预测，简单介绍了未来集成电路研究的热点问题。
一、 ISSCC 介绍
ISSCC 是 IEEE International Solid-State Circuits Conference 的缩写，在国内通
常称作“国际固态电路会议”。此会议发源于 1953 年美国 Univ
-
电子工程中集成电路设计与应用研究问题.doc
电子工程中集成电路设计与应用研究问题
姓名_________________________地址_______________________________学号______________________
-------------------------------密-------------------------封----------------------------线--------------------------
1.请首先在试卷的标封处填写您的姓名，身份证号和地址名称。
2.请仔细阅读各种题目，在规定的位置填写您的答案。
一、选择题
1.集成电路设计中的CMOS工艺技术主要