微电子器件课程设计报告-NPN型双极晶体管.pdf
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电力电子器件—绝缘栅双极晶体管（IGBT）.pptx
绝缘栅双极晶体管IGBT概念特性结构安全工作区
图2-23IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号RN为晶体管基区内的调制电阻。结构IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E，具有很强的通流能力。IGBT的结构
工作原理IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场控器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。IGBT模块
工作原理导通当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。
工作原理关断当栅极G与发射极E间施加反向电压或不加信号时，MOSF
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微电子器件（3-7）双极晶体管的功率特性 .pptx
3.7双极晶体管的功率特性;2、对注入效率的影响;3.7.2基区扩展效应;基极电流通过基极电阻时产生的压降，会使晶体管发射结上不同区域的偏压不相等。由于发射极电流与发射结偏压之间有指数关系，所以发射结偏压只要略有差异，发射极电流就会有很大的变化。当晶体管的电流很大时，基极电阻产生的压降也就很大，这会使得发射极电流在发射结上的分布极不均匀。实际上发射极电流的分布是离基极接触处越近电流越大，离开基极接触处较远的地方电流很快下降到很小的值。这个现象称为发射结电流集边效应，又称为基极电阻自偏压效应。;3.7.4晶体管的热学性质;3.7.5二次击穿和安全工作区;由于发射结的掺杂不均匀及晶格缺陷等原因，晶
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微电子器件（3-11）双极晶体管的开关特性.pptx
3.11双极晶体管的开关特性;1、埃伯斯-莫尔模型;NPN管各工作区域的划分;饱和区晶体管中的非平衡载流子浓度分布;3-11-3晶体管的瞬态开关特性;延迟时间td：从脉冲信号加入到iC上升到0.1ICS
上升时间tr：从0.10.1ICS上升到0.90.1ICS
存储时间ts：从脉冲信号去除到下降到0.90.1ICS
下降时间tf：从0.90.1ICS下降到0.10.1ICS
其中td+tr即开启时间ton、ts+tf即关闭时间toff;下降时间;在组成开关时间的四个时间中，一般以储存时间的比例最高。所以提高开关速度应主要从减小储存时间着手。
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微电子器件（第5版）课件 陈勇 第3章 双极结型晶体管.pptx
第3章双极结型晶体管;;双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型，其结构示意图和在电路图中的符号如下;均匀基区晶体管：基区掺杂为均匀分布。少子在基区主要作扩散运动，又称为扩散晶体管。;;加在各PN结上的电压为;均匀基区晶体管在4种工作状态下的少子分布图;;均匀基区NPN晶体管在4种工作状态下的能带图;;为了理解晶体管中的电流变化情况，先复习一下PN结中的正向电流。;以PNP管为例。忽略势垒区产生复合电流，处于放大状态的晶体管内部的各电流成分如下图所示，;从IE到IC，发生了两部分亏损：InE与Inr。;;;?与hFB以及β与hFE在数值上几乎没有什么区别，但是若采用?与β的定义，则无论对
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微电子概论（第3版）课件4-3-4双极集成器件与电路设计-npn晶体管横向结构设计 .pptx
IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一
4.3.1双极晶体管结构4.3双极集成器件与电路设计4.3.2双极晶体管寄生效应4.3.3npn晶体管纵向结构设计目录4.3.5双极集成电路版图设计4.3.4npn晶体管横向结构设计4.3.6双极集成电路版图设计实例
概述设计指标：依据电路对晶体管性能参数要求，来设计确定集体管的平面几何图形尺寸设计对象：①发射极有效周长（影响电流大小）；②隔离区尺寸设计（隔离区和基区、隔离区和集电结）；
1.发射极有效周长设计发射极有效周长主要考虑大电流时不要发生电流集边效应导致电流放
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微电子概论（第3版）课件4-3-3双极集成器件与电路设计-npn晶体管纵向结构设计 .pptx
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4.3.1双极晶体管结构4.3双极集成器件与电路设计4.3.2双极晶体管寄生效应4.3.3npn晶体管纵向结构设计目录4.3.5双极集成电路版图设计4.3.4npn晶体管横向结构设计4.3.6双极集成电路版图设计实例
0.概述设计指标：依据电路对晶体管性能参数要求，来设计确定晶体管的纵向结构尺寸与工艺要求设计对象：①集电区电阻与掺杂浓度（影响寄生电阻、击穿电压）；②基区宽度（决定fT）；③发射结结深、集电结结深（影响频率）；④基区、发射区表面掺杂浓度（影响发射效率、电流
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器件物理课程设计--npn双极型晶体管的设计.doc
目 录
1.课程设计目的与任务书………………………………………………………2
2.物理参数设计…………………………………………………………………3
2.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算………………………………………3
2.2 集电区厚度Wc的选择……………………………………………………6
2.3 基区宽度WB………………………………………………………………6
2.4 扩散结深…………………………………………………………………10
2.5 芯片厚度和质量…………………………………………………………10
2.6 晶体管的横
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晶体管原理与设计（微电子器件）第5-9章_精品.ppt
5.9 MOSFET 的结构及发展方向 MOSFET 的发展方向主要是沟道长度的不断缩短，目前已经缩短到小于 0.1 ?m 。这种发展趋势可以用 摩尔定律 来描述： MOS 集成电路的集成度每 18 个月翻一番，最小线宽每 6 年下降一半。目前预测的最小极限尺寸是 25 nm，尽管这种对极限尺寸的预测也在不断下调。 MOSFET 的发展过程，就是在不断缩短沟道长度的同时，尽量设法消除或削弱短沟道效应的过程。 5.9.1 按比例缩小的 MOSFET 1、恒场按比例缩小法则 为了消除或削弱短沟道效应，除了采用一些特殊
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ch4_双极结型晶体管(npn).pdf
第一部分 半导体器件
第四章 双极结型晶体管
郑 新 和
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第四章 双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor)
4.1 BJT基本组成和符号描述
4.2 基本工作原理
4.3 载流子分布和电流增益参数
4.4 非理想因素
4.5 晶体管的瞬态行为
4.6 其它双极晶体管器件
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电子器件场效应晶体管.ppt
0102Effectsofrealsurfacesalkalimetalions碱金属离子sodium(Na+)ion钠离子mobilecharge可动电荷trappedcharge陷阱电荷interfacecharge界面电荷fixedcharge固定电荷effectivepositivecharge有效正电荷heavilydopedpoly-silicon重掺杂多晶硅
MOSStructurePoly-silicon-OSStructureIdealMOScapacitanceRealSurfaceEffects:WorkfunctiondifferenceinterfacechargeN
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微电子器件（4-12）无结晶体管.pptx
4.12无结晶体管
;Cross-sectionalviewofJLnMOS,JLpMOS,IMnMOS,andAMpMOSsiliconnanowireFETs.;无结双栅MOS晶体管的能带图;;4.12.2无结晶体管的阈值电压
阈值电压定义为晶体管体沟道内刚好全部耗尽时的栅电压。;设单侧耗尽层厚度为xd，则由一维泊松方程;求解一元二次方程可得单侧耗尽层厚度xd，得到导电沟道厚度;对无结晶体管，导电电荷面密度与栅压近似为平方根的关系，这是由耗尽层厚度与偏压的平方根关系所决定。而普通反型模式晶体管两者间是线性关系，因而无结晶体管在VGVFB的低栅压下栅控能力更弱。
此外，无结晶体管具有双阈值特
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电子器件设计与制作课程设计报告.doc
PAGE
福建农林大学金山学院
《 电子器件设计与制作》
课程设计报告
题目：
可调稳压器设计
学年学期：
2018-2019学年第二学期
专业年级：
2017级电科
学 号：
176711035
姓 名：
张添腾
指导教师：
魏 芬
职 称：
讲 师
信息与机电工程系
福建农林大学金山学院课程设计结果评定
序号
评定标准
分值
评定结果
1
原理图设计和元器件选择
20％
2
制作工具、材料及元器件购买
10％
3
印刷线路板设计及其器件制作
30％
4
系统调试、结果分析及答辩情况
10％
5
设计报告的撰写及其规范
30％
成绩：
指导教师签字：
任务下达日
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电子器件课程设计.doc
电阻器
范桐鸣 指导老师：王京梅
（电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 610054
下面我们就来探讨几种主要的电阻器。
一．金属膜电阻
金属膜电阻器是膜式电阻器(Film Resistors)中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将镍铬或类似的合金紧密附在瓷棒表面形成皮膜，经过切割调试阻值，以达到最终要求的精密阻值，然后加适当接头切割，并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成。由于它是引线式电阻，方便手工安装及维修，用在大部分家电、通讯、仪器仪表上。
金属膜电阻器就是以特种金属或合金作电阻材料，用真空蒸发或溅射的方法，在陶瓷或玻璃基本上形成电阻膜层的电阻器。这类电阻器一般采用真
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微电子器件（5-3）高电子迁移率晶体管(HEMT) .pptx
5.3高电子迁移率晶体管(HEMT);1、在GaAs衬底上采用MBE（分子束外延）等技术连续生长出高纯度的GaAs层和n型AlGaAs层；
2、然后进行台面腐蚀以隔离有源区；
;一般该隔离层厚度取为7~10nm。既能保证高的2-DEG的面密度，又可降低杂质中心的Coulomb散射;5.3.2HEMT的工作原理
;栅电压可以控制三角型势阱的深度和宽度，从而可以改变2-DEG的浓度，以达到控制HEMT电流的目的。属于耗尽型工作模式。;如果AlGaAs/GaAs异质结中存在缓变层，缓变层厚度WGR的增大将使2-DEG的势阱增宽，使势阱中电子的子能带降低，从而确定的Fermi能级下，2-DEG的浓度增
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微电子器件试验-双极型晶体管直流特性的测量.docx
电子科技大学 微固 学院标 准 实 验 报 告（实验）课程名称 微电子器件 电子科技大学教务处制表电子科技大学实验报告学生姓名：学号：指导教师：张有润实验地点：211楼605 实验时间：2017.6.12一、实验室名称：微电子器件实验室二、实验项目名称：双极型晶体管直流特性的测量三、实验学时：3四、实验原理：1、如图1所示，晶体管特征图示仪提供Vce的锯齿波扫描电压和Ib的阶梯变化，且两者一一对应，便产生Ib从Ib0、Ib1、Ib2等Vce从零到最大值的曲线族。从而测量晶体管的直流特性。基本测试原理电路如图2所示，测试时用逐点测试的方法把一条条的曲线描绘出来