存储器介绍(200908).doc
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存储器
存储器件从大类来分,可以分为易失性和非易失性两种,主要器件类别如下图所示。
另外,为了某些特殊应用,还有许多特殊的存储器,如:DPRAM、FIFO、CAM等。另外随着技术的进步,一些新的存储技术不断涌现,比如FRAM,MRAM等。
RAM 器件介绍
RAM分为SRAM与DRAM,二者的区别在于DRAM必须定时刷新,而SRAM存储数据时不需要自动刷新。SRAM的优势是它的速度快,缺点是价格高、容量也不可能做到很大。
(一)SRAM
SRAM可分为异步SRAM和同步SRAM。SRAM最早的读写控制接口是异步接口,异步接口速率较低。而同步SRAM(即同步静态随机访问存储器)主要应用于计算机、服务器的CACHE,DSP,通讯,基站、网络交换等需要大容量,高速数据传输的领域。通讯技术发展的要求和超大规模集成电路设计与制造工艺的飞速进步,推动着同步SRAM朝着大容量,高吞吐率,低电压,低功耗的方向发展,同时适应通信领域的要求也涌现了一批新的同步SRAM。
根据我司的使用情况,SRAM可分成以下几类:1、异步SRAM;2、双端口SRAM;3、普通同步SSRAM;4、零总线翻转SRAM,即ZBT SBSRAM;5、QDR/DDR SRAM。
SRAM的分类不同,其外围接口电路和控制电路有很大的差别,但器件内部的存储体对同一种制造工艺差别并不大。SRAM的外围接口电路完成与外接器件的接口,内部控制电路完成读写单元的地址译码,选通控制,读写控制,数据寄存、锁存、缓冲等。
表征SRAM特性的主要参数:
1、数据宽度:指并行输入到存储器或从存储器输出的数据宽度,常见的宽度有字节(Byte,8位),字(Word,16位),双字(Double Word,32位宽);某些SRAM每字节宽度提供一个校验位,校验位与数据位功能一样可将数据写入内存或从内存读出。
2、地址深度:表征寻址容量,以二进制编码,10根地址线可寻址1024单元。
3、存储器容量:以bit表示,为数据宽度与地址深度之乘积。
4、片选位数:用于内存扩充。
(二)DRAM
DRAM目前市场的主流是DDR,包括DDRI和DDRII,公司目前应用最广泛的还是SDRAM。
DRAM主要用于做内存,器件容量很大,适合做读写缓冲区。
DRAM器件功能性能指标简述:
DRAM除了需注意电压、直流参数、交流参数等普通IC具有的特性外, 还要注意下面的一些特殊参数:
1、器件数据宽度, 根据需要可以组成不同的工作数据宽度和工作容量;
2、工作时钟,需要注意CL(Clock Latency)参数值,因为不同厂家器件在相同工作时钟下有不同CL值。如某些DRAM器件,其工作时钟为133MHZ,CL只能是3;而工作在100MHZ, CL可以是2或3。
3、器件刷新周期和一次刷新的容量大小。
4、是否支持Burst方式,Burst的长度,在Burst方式下,是否支持连续地址操作和交叉地址操作。
5、寄存器的工作方式设置。
常见缩略语:
DRAM: Dynamic Random Access Memory 动态随机存储器
SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory 同步动态随机存储器
RLDRAM: Reduce Latency Dynamic Random Access Memory 更小等待时间动态随机存储器
FCRAM: Fast Cycle Random Access Memory 快速周期随机存储器
DDR DRAM: Double Data Rate Dynamic Random Access Memory 双速度动态随机存储器
RDRAM: Rambus Dynamic Random Access memory Rambus总线动态随机存储器
******DRAM器件应用注意事项:******
1、SDRAM时钟:一定要保证SDRAM的时钟信号的质量,注意时钟的匹配方式、驱动负载等。曾发现SDRAM不能正常读写,后来的处理方式是在SDRAM的时钟信号线上并联了一个10PF的电容。
2、驱动程序:要保证SDRAM的访问时序的正确性,开始调试时可以采用逻辑分析仪进行典型时序的分析,如读、写、刷新时序等;
3、对于MPC850、MPC860的接口,应注意CKE信号要拉高。 如CKE信号被拉低,时钟没有被使能,以至于SDRAM不能工作。
4、模式寄存器初始化要符合SDRAM手册要求;
5、应根据操作频率、电容负载和传输线效应等确定在控制器与DRAM的总线之间是否需要加总线驱动
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