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英飞凌第4代IGBT芯片技术-IGBT4 IGBT4模块封装 IGBT4：基于IGBT3技术 IGBT3 IGBT4 沟槽栅 降低饱和电压，维持开关速度 场终止层 减小芯片厚度，降低饱和电压 共同的优点： 饱和电压正温度系数 短路承受时间10μs 饱和电压低 9-Jul-09 Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights reserved. Page 2 IGBT4：基于IGBT3技术，按应用优化特性 分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片 小功率IGBT4–T4 中功率IGBT4–E4 大功率IGBT4–P4 为中、小功率应用设计 为中、大功率应用优化设 为大功率应用优化设计 用于中、小功率模块 用于中、大功率模块 用于大功率模块 在T3的基础上 在E3的基础上 在E3的基础上 - 提升开关速度 - 提升开关速度 - 使关断过程“软” - 使关断波形更平滑一些 - 使关断波形更平滑一些 - 降低关断速度 电压等级：1200V 电压等级：1200V，1700V 电压等级：1200V，1700V 适用开关频率：≤20kHz 适用开关频率：≤8kHz 适用开关频率：≤3kHz 配用小功率EmCon4二极管 配用中功率EmCon4二极管 配用大功率EmCon4二极管 9-Jul-09 Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights reserved. Page 3 IGBT4（1200V）：特征参数的调整 P4 IGBT2–DLC IGBT3–E3 耗 IGBT2–DN2 能 IGBT3–T3 E4 关 -15% Eoff IGBT2–KS4 开 -20% Eoff T4 饱和电压 1 2 3 4 5 T4-小功率IGBT4：开关能耗低于T3 （提高了开关速度） E4-中功率IGBT4：开关能耗低于E3 （提高了开关速度） P4-大功率IGBT4：开关能耗高于E3 （降低了关断速度，使关断“柔软”） 9-Jul-09 Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights res