第十一届决赛单片机设计与开发(第一部分).pdf
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第十一届蓝桥杯单片机设计与开发项目决赛
第一部分客观试题(30分)
1)处于谐振状态的RLC串联电路,当电源频率升高时,电路将呈现出()。
A.电阻性
B.电容性
C.电感性
D.不能确定
2)测得处于放大工作区的NPN三极管上的参数如下:
IE=1mA
IB=20μA
推断IC为多少mA()。
A.
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第十一届蓝桥杯单片机设计与开发项目决赛
第一部分客观试题(30分)
1)处于谐振状态的RLC串联电路,当电源频率升高时,电路将呈现出()。
A.电阻性
B.电容性
C.电感性
D.不能确定
2)测得处于放大工作区的NPN三极管上的参数如下:
IE=1mA
IB=20μA
推断IC为多少mA()。
A.