基于第一性原理的硅基二维量子材料设计与性能研究.docx
文本预览下载声明
基于第一性原理的硅基二维量子材料设计与性能研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在半导体领域的持续发展进程中，硅基材料凭借其卓越的物理特性以及成熟的制备工艺，始终占据着核心地位。自半导体产业兴起以来，硅基晶体管经历了从简单到复杂、从低性能到高性能的飞速发展，尺寸不断缩小，集成度不断提高，性能也实现了质的飞跃，有力地推动了计算机、通信、消费电子等众多领域的巨大变革。然而，随着信息技术的迅猛发展，对芯片性能的要求呈指数级增长，硅基晶体管在尺寸微缩、性能提升等方面逐渐逼近物理极限，面临着诸多难以突破的瓶颈。
其中，量子隧穿效应是硅基晶体管面临的关键挑战之一。当硅基晶体管的尺寸缩小到纳米尺度时，电
显示全部