硒化铟纳米材料的制备与光电性能研究.pdf
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摘要
硒化铟(InSe)作为一种典型的二维(2D)层状半导体材料,在当今材料科
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学领域备受关注。其层间相互作用较弱,可以通过简单的机械剥离获得单层或少层
硒化铟。此外,硒化铟在可见光范围内表现出优异的光学特性,具有高吸收系数和
较高的光电转换效率。特别值得注意的是,作为一种同时具有面内和面外极化的铁
电材料,2DVanderWaals(vdW)InSe在多场调控领域具有独特的应用潜力。本
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