33B《半导体分立器件真题规范》与33A《半导体分立器件总规范》新旧标.pdf

33B《半导体分立器件真题规范》与33A《半导体分立器件总规范》新旧标--第1页

33B《半导体分立器件通用规范》相比旧版33A《半导体分立器件总规范》新旧标准主要变化梳理

章节增减内容备注

1范围明确了通用规范“”适用于气密封装半导体分立器件

2引用文件增加了

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3要求1)将原第3章中对设计、结构和材料的要求调整到附录A中；

2)在原规范QPL认证的基础上，增加了QML认证方式；按通3)

用规范供货的器件的芯片要求增加了规范性附录B《芯片的评价》4)辐

射加固保证等级由原来4个等级增加到8个等级；增加了关于5)

器件编号省略原则；

6)对原第3章中关于标志的要求作了修订，尤其是关于静电放电敏感度等级重新作了划

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分，由原来3个等级调整为8个等级，同时标志也作了相应更改。

7)关于质量保证大纲要求由原附录A《质量保证大纲和生产线认证要求》调整到附录C《质

量管理大纲》和附录D《质量保证大纲》中。

8)将质量保证等级划分调整到第6章中，增加了芯片质量保证等级{JHC、JKC}

4质量保证规定1)将筛选、鉴定检验、质量一致性检验调整到附录E《合格产品检验规则》中；

2)增加了质量管理体系要求，详见附录C和附录D；

3)JY级器件在筛选检验中增加了晶圆批验收和二极管芯片目检要求；

4)筛选检验中高温寿命时间由原无规定调整明确为48h或按规定；

5)筛选检验中温度循环试验条件C调整为试验条件C或最大贮存温度范围(取小者)；

6)筛选检验中第7步的密封试验由强制要求改为可选项；

7)筛选检验中第9步高温反偏前的中间电测试由原JCT和JT级强制要求改为不适用；

8)筛选检验中第10步高温反偏外加额定电压百分比作了调整，统一不低于80%；

9)筛选检验中第11步明确了JT和JCT级PDA应不大于10%；

10)筛选检验中第12步功率老炼增加了管壳安装的整流管老炼要求；

11)筛选检验中第14步密封试验由原可选项改为强制要求；

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12)质量一致性检验和鉴定检验的抽样方案由LTPD抽样改为固定样品抽样；

13)A1组外观检验中增加了关于小批量流片的器件适用方案；

14)A2分组25℃±3℃下直流(静态)测试中强调包含了瞬态热阻测试；

15)A3分组最高和最低额定工作温度下的直流(静态)测试中明确了高温和低温误差范围；

16)A5分组安全工作区试验对试