电力电子器件经典培训教程.pdf

《电力电子器件经典培训教程》.pdf 第1章 电力电子器件 1.1 1.1 1.2 1.2 1.3

2016-01-09 约字 119页立即下载

《电力电子器件h》.pdf 功率半导体器件浙江大学电气工程学院 -电力电子技术- 浙江大学电气工程学院　功率半导体器件的分类: 1、按可控性分类（1）不控型器件（2）半控型器件（3）全控型器件 2、按驱动信号类型分类（1）电流驱动型

2016-01-27 约字 24页立即下载

2电力电子器件.ppt 4、GTR保护和驱动电路（2）驱动电路典型驱动电路如图 §2. 3电力电子器件及驱动保护电路四、功率晶体管五、功率场效应晶体管（MOSFET） 1、概述（1）功率场效应晶体管（Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）简称P-MOSFET或MOSFET，是大功率化的绝缘栅型MOS场效应晶体管，是一种单极型的电压全控型自关断器件（2）用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小（3）开关速度快，工作频率高，最高频率可达500kHz，远远高于GTR，有利

2018-12-26 约1.16万字 58页立即下载

第3讲-电力电子器件.ppt 1-* 1.3.4 绝缘栅双极晶体管 1) IGBT的结构和工作原理三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 1-* 1.3.4 绝缘栅双极晶体管图1-22a—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT。 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力。简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区内的调制电阻。图1-22 IGBT的结构、简

2015-09-07 约9.14千字 53页立即下载

电力电子器件用.ppt 第9章 电力电子器件应用的共性问题 9.1 电力电子器件的驱动 9.2 电力电子器件的保护 9.3 电力电子器件的串联使用和并联使用本章小结 */27 9.1 电力电子器件的驱动 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 9.1.2 晶闸管的触发电路 9.1.3 典型全控型器件的驱动电路 */27 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述图9-0 电力电子器件在实际应用中的系统组成电气隔离 ■电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。 */27

2018-03-20 约7.45千字 27页立即下载

2-电力电子器件2.ppt 2010 制作人：张波，丘东元@SCUT, 2004 第2章 电力电子器件(II) 丘东元目录 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 2.4 典型全控型器件门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合 — 高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代。全控型电力电子器件的典型代表 — 门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管（

2018-08-26 约9.4千字 59页立即下载

电力电子器件1.pptx 《电力电子技术》;2.1.1电力电子器件旳概念和特征;(4)散热;对某些器件来讲，驱动电路向其注入旳功率也是造成器件发烧旳原因之一;2.1.3电力电子器件旳分类;(3)??不可控器件——不能用控制信号来控制其通断，所以也就不需要驱动电路;2.1.3电力电子器件旳分类;2.1.4本章内容和学习要点;2.2不可控器件——电力二极管;2.2.1PN结与电力二极管旳工作原理;2.2.2电力二极管旳基本特征;2.动态特征动态特征——因结电容旳存在，三种状态(零偏置、正向偏置、反向偏置）之间旳转换必然有一种过渡过程，此过程中旳电压—电流特征是随时间变化旳;;2.2.3电力二极管旳主要参数;4.最高工作

2024-10-28 约2.88千字 125页立即下载

2018-06-14 约1.84万字 138页立即下载

1电力电子器件_第4讲.ppt 分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）简称电力MOSFET（Power MOSFET）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） ?特点——用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。功率场效应晶体管MOSFET （电力场效应晶体管） ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按零栅压时器件的导电状态分为耗尽型和

2017-05-02 约5.67千字 25页立即下载

2017-09-26 约字 118页立即下载

第1章电力电子器件1.ppt 1-* 电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种。其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴。 1-* 1.7.2 过电流保护过电流—过载和短路两种情况保护措施：负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器变流器直流快速断路器电流互感器变压器图1-37　过电流保护措施及配置位置 1-* 同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。快熔对器件的保护方式

2017-02-21 约1.46万字 108页立即下载

微电子器件(4-3)教程.ppt 4.3 MOSFET 的直流电流电压方程; 推导时采用如下假设; ③ 沟道内的载流子（电子）迁移率为常数；; 当在漏极上加 VD VS 后，产生漂移电流，;（4-37）; 当 VG VT 后，沟道中产生的大量电子对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用，所以能带的弯曲程度几乎不再随 VG 增大，表面势 ?S 也几乎维持 ?S,inv 不变。于是，; 当外加 VD ( VS ) 后，沟道中将产生电势 V (y)，V (y) 随 y 而增加，从源极处的 V (0) = VS 增加到漏极处的 V (L) = VD 。这

2017-04-28 约1.2千字 25页立即下载

微电子器件(5-1)教程.ppt 第 5 章绝缘栅场效应晶体管;结型栅场效应晶体管（J FET）; JFET 和 MESFET 的工作原理相同。以 JFET 为例，用低掺杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作 PN 结，并加上反向电压。利用 PN 结势垒区宽度随反向电压而变化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。两种 FET 的不同之处是，J FET 利用 PN 结作为控制栅，而 MESFET 则是利用金- 半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。 ; J FET 的基本结构; MESFET 的基本结构; 绝缘栅场效应晶体管按其早期器件的纵向结构又被

2017-04-23 约1.34千字 18页立即下载

微电子器件(5-2)教程.ppt 5.2 MOSFET 的阈电压; 5.2.1 MOS 结构的阈电压 ; 上图中，; 上图中，?S 称为表面势，即从硅表面处到硅体内平衡处的电势差，等于能带弯曲量除以 q 。; 3、实际 MOS 结构当 VG = VFB 时的能带图当时，可以使能带恢复为平带状态，这时 ?S = 0，硅表面呈电中性。VFB 称为平带电压。COX 代表单位面积的栅氧化层电容，，TOX 代表栅氧化层厚度。;

2017-04-27 约1.14千字 23页立即下载

课件教程：电力电子器件的应用与原理.ppt 电力电子器件的应用与原理欢迎学习电力电子器件的应用与原理课程。本课程将系统介绍电力电子技术的基础知识，包括各类电力电子器件的工作原理、特性及应用。通过本课程的学习，您将掌握从二极管到先进宽禁带半导体器件的全面知识体系，理解电力电子技术在现代电力系统、新能源开发、工业控制和消费电子等领域的重要应用。课程概述1课程目标通过本课程学习，学生将能够理解各类电力电子器件的基本工作原理，掌握其应用设计方法，具备分析和解决电力电子系统中常见问题的能力。培养学生在电力电子领域的创新思维和实践能力，为后续深入学习和工作奠定坚实基础。2学习内容本课程将系统讲解二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等电力电子器件

2025-04-01 约9.97千字 10页立即下载