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界面设计对钙钛矿磁性氧化物薄膜结构与物性的调控机制及应用研究
一、引言
1.1研究背景与意义
钙钛矿磁性氧化物薄膜作为一类具有独特晶体结构和丰富物理性质的材料，在过去几十年中受到了广泛的关注。其化学式通常表示为ABO?，其中A位通常为稀土或碱土金属离子，B位为过渡金属离子，这种特殊的结构赋予了它们诸如铁磁性、反铁磁性、亚铁磁性等多种磁性，以及磁电阻效应、磁电耦合效应等一系列与磁性相关的物理特性。这些特性使得钙钛矿磁性氧化物薄膜在自旋电子学、磁传感器、磁存储等众多领域展现出巨大的应用潜力。
在自旋电子学领域，利用其磁电阻效应开发的磁性随机存取存储器（MRAM），有望成为下一代高性能存储
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