文档详情

天津工业大学2023年808材料科学基础考研真题(回忆版) .pdf

发布:2025-03-22约3.96千字共3页下载文档
文本预览下载声明

天津工业大学2023年808材料科学基础考研真题(回忆版)--第1页

天津工业大学2023年808材料科学基础考研真题(回忆版)

一、选择(10*2分,共20分)

1、下列哪种离子易导致熔体的分组()

++++

A.KB.CsC.MgD.Rb

2、化学键型对熔体表面张力影响的一般规律为()

A.共价键金属键离子键分子键

B.金属键共价键离子键分子键

C.离子键金属键共价键分子键

D.共价键离子键金属键分子键

3.下列哪种缺陷属于本征缺陷()

A.固溶体B.刃位错C.肖特基缺陷D.共价键

4.诱导力是结合键的一种,属于()

A.氢键B.金属键C.范德华建D.共价键

5.硅酸盐熔体分为两种或两种以上的不混溶液相称为()

A.分化B.分相C.积聚D.断网

6.生成固溶体时,在固液限度以内固熔体是()相

A.2B.3C.1D.4

7.Fick第一定律中的负号表示扩散方向与浓度降低方向()

A.垂直B.一致C.相反D.可逆

8.形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的()

A.1/3B.2/3C.3/4D.1/2

9.下面哪一个阶段不属于液相烧结与固相烧结的相同阶段()

A.颗粒重排B.气孔填充C.晶粒生长D.空位迁移

10.烧结有四种传质方式,其中的蒸发-凝聚产生原因是()

A.压力差B.空位浓度差C.应力-应变D.溶解度差

二、判断(10*2分,共20分)

11.多晶固体表现出各向同性,是晶体各向异性的特例。()

12.位错运动的主要方式是攀移。()

3+

13.硅酸盐熔体的“硼反常”现象源于B配位数的变化。()

14.玻璃体是介稳态物质,热力学角度具有析晶的趋势。()

15.从动力学角度来看,形成剥离的关键是熔体的冷却速率。()

16.相区接触法则是指两个单相区之间必定有一个由这两个相组成的两相区,二不能以一条

线接界。()

天津工业大学2023年808材料科学基础考研真题(回忆版)--第1页

天津工业大学2023年808材料科学基础考研真题(回忆版)--第2页

17.烧结过程中,如果晶界移动速率等于气孔扩散速率,可达到烧结致密化。()

18.固相反应包括相界面上的化学反应和相内的物质迁移。()

19.Spinodal分解形貌特征是新相—形成界面就很明显,一般为颗粒状分散在母相中,连续

性低。()

20.多晶转变点一定不会是析晶终点,过滤点一定不会是析晶终点。()

三、简答(6*8分,共48分)

21.为什么钛酸钡具有铁电效应,而钛酸钙没有?

22.TiO是一种n型半导体,为什么?

2-x

23.请简述硅酸盐熔体结构的聚合物理论。

2

24.无序扩散的扩散系数可表达为D=1/6fr,该式推导时,没有考虑扩散机制和扩散介质的结

构,请画出简单立方结构、体心立方结构、面心立方结构示意图,并计算在这些扩散介质结

构中的无序扩散系数表达式。

23

25.当球形晶核在液态中形成时,整个自由焓的变化为△G=4πrβ+4/3πr△Gv。式中r为

球形晶核半径,β为液态中晶核的表面能,△

显示全部
相似文档