第8章双极型晶体管及其放大电路(A).pdf

第8章 双极型晶体管及其放大电路 学习要点 1. ； 2. ； 3. 4. 5. 。 8.1 晶体管 双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成。 半导体三极管有两大类型: 双极型半导体三极管(BJT-Bipolar Junction Transister) （电子 和空穴） 场效应半导体三极管(FET-Field-Effect Transister) （电子或空穴） 场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电。 8.1 晶体管 8.1.1 晶体管的结构与类型 collector 集电极 C — 集电区 （面积大） C N 集电结 P 基极 B P — 基区 （很薄，杂质浓度低） B N base N 发射结 P — 发射区 （掺杂浓度高） 发射极 E E emitter C C B B E NPN 型 E PNP 型 晶体管分NPN型和PNP型两种，均由基区、发射区和集电区组成， 这三个区域形成两个PN结—发射结、集电结。 8.1 晶体管 晶体管放大的内部条件： 发射区的掺杂浓度大。 集电区掺杂浓度低，且面积大。 基区很薄，且掺杂浓度最低。 8.1 晶体管 8.1.2 晶体管的放大原理 晶体管组成放大电路时，根据输入回路和输出回路的公共端是基 极、发射极和集电极而构成三种连接方式，即共基极、共发射极和共 集电极电路。 共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法：基极作为公共电极，用CB表示; 共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示。 晶体管的三种连接方式 8.1 晶体管 1. 晶体管放大的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 RC RB E