7.3 半导体三极管(上).pdf
7.3.1三极管的类型与结构
7.3.2三极管的工作原理
7.3.3三极管的特性曲线
7.3.4三极管的主要参数
7.3.5三极管举例
7.3.1三极管的类型与结构
硅管NPN
按材料分按结构分
锗管PNP
低频管小功率管
按使用频率分按功率分中功率管
高频管
大功率管
7.3.1三极管的类型与结构
collector
集电极CC
—集电区(面积大)
N集电结P
基极BP—基区(很薄,杂质浓度低)BN
baseN发射结P
—发射区(掺杂浓度高)
发射极EE
emitter
C
C
BB
E
NPN型EPNP型
7.3.2三极管的工作原理
1晶体管的放大条件
发射区掺杂浓度高
发射结正偏
内部条件基区薄且掺杂浓度低外部条件
集电结反偏
集电结面积大
2满足放大条件的三种电路
共发射极共基极共集电极
7.3.2三极管的工作原理
3晶体管内部载流子的传输过程
(1)发射区向基区注入多子电子,
IC形成发射极电流I。