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基于0.18um CMOS工艺的电流型带隙基准源研究与设计.docx

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基于0.18umCMOS工艺的电流型带隙基准源研究与设计

摘要

集成电路日新月异，制造工艺也不断的缩小，CMOS带隙基准常用于为系统级提供基准电压和基准输出电流是系统层芯片中及其重要组成板块。本文介绍带隙基准的基本概念和电流型带隙基准的实现。本研究基于CSMC0.18um的标准CMOS工艺，利用PN结具有负温度系数与不同电流密度下的两个PN结具有正温度系数的特性，进行电压补偿，在Cadence环境下仿真得到一个低温漂、低功耗、高电源抑制比的电流型带隙基准源，最后在SMIC0.18um工艺下进行版图设计并进行DRC与LVS验证。本研究分为以下三个部分：

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