《绝缘栅双极晶体管（IGBT）健康评估及寿命预测方法》.pdf

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绝缘栅双极晶体管（IGBT）健康状态评估及剩余寿命预测方法

1范围

本文件规定了焊接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）专业检测过程中的健康状态等级划分方法、健康

状态评估方法、剩余寿命预测方法等。

本文件适用于焊接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）专业检测过程中的健康状态评估、寿命预测管理

等。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T20921-2007机器状态监测与诊断词汇

GB/T22393-2008机器状态监测与诊断一般指南

GBT23713.1-2009机器状态监测与诊断预测第1部分：一般指南

GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

T/CES084-2021柔性直流输电用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块应用可靠性试验规范

3术语和定义

GB/T20921、GB/T22393和GB/T23713.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

绝缘栅双极型晶体管insulategatebipolartransistor；IGBT

具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件，也是一种电力电子元件的综合体，是MOSFET

（场效应晶体管）和BJT（BipolarJunctionTransistor，双极晶体管）的结合体。

3.2

健康状态评估healthstatusevaluation

对IGBT的性能和使用状况进行评估，以确定其当前的状态和预测未来的性能表现。

注：这种评估通常包括对IGBT的电气性能、热性能等方面的检测和分析，以及对其在各种操作条件下的稳定性和可靠

性的评估。

3.3

剩余寿命预测remainingusefullifetimeprediction

根据IGBT的工作状态和使用情况，对其在未来能够维持其性能的时间进行预测。

3.4

状态监测conditionmonitoring

采用有效的检测手段和分析诊断技术，及时、准确的掌握设备运行状态，保证设备的安全、可靠和

经济运行。

3.5

1

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健康征兆参数healthprecursorparameters

设备或零部件发生故障之前所表现出来的各种状态变化的征兆数据。

3.6

失效物理physicsoffailure

在已知电子产品物理失效模型的基础上，利用产品的生命周期载荷和失效机理知识来评估产品的可

靠性。

3.7

集电极-发射极饱和电压collector-emittersaturationvoltage

VCE(sat)

在指定的门极-发射极间的电压下，额定集电极电流流过时的集电极-发射极间的电压。

3.8

门极-发射极阈值电压gate-emitterthresholdvoltage

VGE(th)

处于指定的集电极-发射极间的电流和集电极-发射极间的电压范围的门极-发射极间的电压。

3.9

集电极－发射极漏电流collectoremitterleakagecurrent

ICES

在栅极G和发射极E短路时，在加一定的V下，IGBT的集电极C和发射极E之间的漏电流。

CE

3.10

结温junctiontemperature

T

j

功率半导体的PN结温度。

3.11

门极发射极漏电流gateemitterleakagecurrent

IGES

在集电极C和发射极E短路时，在加一定的V下，IGBT的栅极G和发射极E