GB/T 33922-2017MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法.pdf

ICS31.200 L55 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT33922 2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的 圆片级试验方法 WaferleveltestmethodsforMEMS iezoresistive ressure-sensitive p p die erformances p 2017-07-12发布 2018-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — GBT33922 2017 目 次 前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ 1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1 2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1 4 试验条件 ………………………………………………………………………………………………… 1 4.1 大气条件 …………………………………………………………………………………………… 1 4.2 电磁条件 …………………………………………………………………………………………… 2 4.3 振动条件 …………………………………………………………………………………………… 2 4.4 测试系统 …………………………………………………………………………………………… 2 5 试验的一般规定 ………………………………………………………………………………………… 2 5.1 证书文件 …………………………………………………………………………………………… 2 5.2 预热时间 …………………………………………………………………………………………… 2 5.3 连接方式 …………………………………………………………………………………………… 2 6 试验内容和方法 ………………………………………………………………………………………… 2 6.1 试验准备 …………………………………………………………………………………………… 2 6.2 电阻 ………………………………………………………………………………………………… 2 6.3 常压输出 …………………………………………………………………………………………… 3 6.4 静态性能试验 ……………………………………………………………………………………… 4 6.5 温度性能试验 ……………………………………………………………………………………… 7 Ⅰ / —