《第3章存储器和IO空间》.pdf

第3章 存储器及I/O空间 C240X芯片有16位地址线，可以访问3个独立的地址空 间，总计192K字。 • 程序存储器:64K字 • 数据存储器:64K字 • I/O空间:64K字,包含片内外设寄存器 LC:无FLASH LF:有FLASH， 片内：单端口SARAM（共2K字） 双端口DARAM（B0块、B1块、B2块共544字） 改进的哈佛结构，通过3组并行地址总线访问3个空间。 (1)程序地址总线（PAB) (2)数据读地址总线（DRAB) (3)数据写地址总线（DWAB) 可同时访问程序和数据空间，一个周期内，CALU可执 行多达3次的并行存储器操作。 TMSC206:片内32K Falsh，B0-256个；B1-256个； B2-32个 SARAM 4K字 TMSC240:片内16K Falsh，B0-256个；B1-256个； B2-32个 TMSLF2407A(片内): 32K字 Falsh， DARAM（双口RAM）为544个字：B0-256个；B1-256个； B2-32个。 SARAM（单口RAM）2K字。 3.1 片内存储器 3.1.1 双端口RAM(DARAM) 544个字，分为三块：B0、B1、B2。 B0作程序存储器还是作数据存储器，由寄存器ST1的 D12位 CNF 来决定： CNF=1，B0映射到程序存储器空间 CNF=0，B0映射到数据存储器空间 DARAM: 双访问随机读/写存储器，在单个机器周期内 可被访问2次： CPU在时钟的主相写入DARAM；在时钟的从相从 DARAM读出数据；大大的提高了运行速度。 3.1.2 单端口RAM(SARAM) 2K字 单访问随机读/写存储器，在单个机器周期内可被访 问1次。 例如，一条指令要将A的值保存，且装载一个新值到A 在SARAM中需两个时钟周期，而在DARAM中需一个 时钟周期， 3.1.3 FLASH程序存储器 LF2407：16K字，映射到程序存储空间。有片内程序 存储器和片外程序存储器之分。 MP/MC*=0，选择片内Falsh存储器 MP/MC*=1，选择片外程序存储器，从片外程序存 储器开始执行程序。 1.FLASH程序存储器 特点： （1）运行在3.3V电压模式； （2）编程需在VCCP上加有5V电压； （3）有多个向量，被保护，防止被擦除。 （4）编程由CPU实现。 2.FLASH控制方式寄存器（FCMR) 占用I/O空间 FF0Fh 。可对FLASH阵列编程。 3.访问FLASH控制寄存器 内有4个寄存器，控制在FLASH中的操作。 3.2 程序存储器 存放指令码、表格、常量 寻址空间为64K字范围。 当某一片外地址被访问时，会自动产生控制信号：PS*、 DS*、STRB* 两个因素决定程序存储器的配置 （1）CNF位 CNF=1，B0映射到程序存储器空间 CNF=0，B0映射到数据存储器空间 *脚 （2）MP/MC MP/MC*=0，选择片内Falsh存储器0000h-7FFFh MP/MC*=1，选择片外程序存储器0000h-7FFFh开始 执行程序。 程序存储器空间 3.3 数据存储器 1.数据存储器映射 三块：B0、B1、B2。 B0：256个字（可设置为程序/数据存储器） B1、B2块：只能配置为数据存储器 数据存储器映射图如下图所示。 数据存储器空间 2.数据存储器页面 在直接寻址中，64K空间分为512页，具体页由状态寄 存器ST0中的9位数据页指针（DP)的值确定。 因此，在使用直接寻址指令中，必须指定数据页和7位 偏移量 9位数据页指针（DP)+ 7位偏移量 3.第0页数据地址映射 第0页(00h-7Fh)包含一些重要的寄存器： 0004h：中断屏蔽寄存器IMR。 0006h：中断标志寄存器IFR。 002Bh-00