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电力电子技术期末考试试题及答案

一、选择题（每题3分，共30分）

1.下列电力电子器件中，属于电压驱动型的是（）

A.晶闸管B.电力晶体管（GTR）C.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）D.门极可关断晶闸管（GTO）

答案：C

解析：电压驱动型器件是指通过控制极电压来控制器件的导通和关断。IGBT是电压驱动型器件，其输入阻抗高，驱动功率小。而晶闸管、GTR和GTO都是电流驱动型器件，需要较大的驱动电流来控制其导通和关断。

2.单相半波可控整流电路带电阻性负载时，晶闸管的导通角α的变化范围是（）

A.0°～90°B.0°～120°C.0°～150°D.0°～180°

答案：D

解析：在单相半波可控整流电路带电阻性负载时，晶闸管在电源电压正半周时可以触发导通，触发角α最小为0°（即立即触发），最大为180°（即不触发），所以导通角α的变化范围是0°～180°。

3.三相桥式全控整流电路带电阻性负载时，晶闸管的触发脉冲间隔是（）

A.60°B.90°C.120°D.180°

答案：A

解析：三相桥式全控整流电路有6个晶闸管，按顺序依次触发。一个周期为360°，平均分配给6个晶闸管，所以触发脉冲间隔为360°÷6=60°。

4.下列哪种电路不能实现有源逆变（）

A.单相半波可控整流电路B.单相全控桥整流电路

C.三相半波可控整流电路D.三相桥式全控整流电路

答案：A

解析：实现有源逆变需要满足两个条件：一是要有直流电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流器直流侧的平均电压；二是要求晶闸管的控制角α＞90°，使Ud为负值。单相半波可控整流电路在α＞90°时，输出电压Ud虽然可以为负，但由于其电路结构特点，不能保证有足够的能量反馈到交流电源，所以不能实现有源逆变。而其他三种电路在满足条件时都可以实现有源逆变。

5.降压斩波电路中，已知电源电压U=100V，斩波周期T=200μs，导通时间ton=100μs，则输出电压平均值Uo为（）

A.20VB.50VC.80VD.100V

答案：B

解析：降压斩波电路输出电压平均值Uo的计算公式为Uo=(ton/T)×U。已知U=100V，T=200μs，ton=100μs，代入公式可得Uo=(100μs/200μs)×100V=50V。

6.升压斩波电路中，电感L在开关导通时（）

A.储存能量B.释放能量C.既不储存也不释放能量D.无法确定

答案：A

解析：在升压斩波电路中，当开关导通时，电源向电感L供电，电感中的电流线性增加，电感储存能量；当开关关断时，电感释放能量，与电源电压叠加后向负载供电。

7.下列不属于PWM控制方法的是（）

A.单极性PWM控制B.双极性PWM控制C.异步调制D.相控整流

答案：D

解析：PWM（脉冲宽度调制）控制方法包括单极性PWM控制、双极性PWM控制、异步调制、同步调制等。相控整流是通过控制晶闸管的触发角来改变整流输出电压，不属于PWM控制方法。

8.电力电子器件的串联使用时，需要考虑的主要问题是（）

A.均流问题B.均压问题C.缓冲问题D.散热问题

答案：B

解析：当电力电子器件串联使用时，由于器件参数的分散性，会导致每个器件承受的电压不相等，可能会使承受电压过高的器件损坏，所以需要考虑均压问题。而均流问题是器件并联使用时需要考虑的主要问题。

9.下列关于软开关技术的描述，错误的是（）

A.软开关技术可以减少开关损耗B.软开关技术可以降低电磁干扰

C.软开关技术可以提高开关频率D.软开关技术只能应用于直流直流变换电路

答案：D

解析：软开关技术是通过在电路中引入谐振元件，使开关器件在零电压或零电流的条件下开通或关断，从而减少开关损耗、降低电磁干扰，并且可以提高开关频率。软开关技术不仅可以应用于直流直流变换电路，还可以应用于交流直流变换、直流交流变换等电路中。

10.下列哪种变流电路可以实现交流交流直接变换（）

A.整流电路B.逆变电路C.斩波电路D.交流调压电路

答案：D

解析：整流电路是将交流变为直流；逆变电路是将直流变为交流；斩波电路是将直流变为另一电压等级的直流；交流调压电路可以通过控制晶闸管的导通角，直接改变交流电压的大小，实现交流交流直接变换。

二、填空题（每题2分，共20分）

1.电力电子技术是一门将______和__